行業痛點：碳化硅廢水的治理挑戰  

     碳化硅（SiC）作為第三代半導體核心材料，其生產廢水含高濃度氟化物（2000-5000mg/L）、懸浮硅粉、重金屬及強酸堿，傳統工藝面臨三大瓶頸：  

     1. 氟化物深度去除難：常規鈣鹽沉淀法殘留氟離子＞15mg/L，遠超《GB 8978-1996》一級標準（10mg/L）；  

     2. 硅膠體穩定性高：納米級SiC顆粒易形成膠體，堵塞濾膜；  

     3. 高鹽廢水回用率低：硝酸、氫氟酸清洗液導致含鹽量＞5%，膜系統易結垢失效。  

       百惠浦四級深度處理工藝  

     基于22項專利技術，百惠浦創新開發“破膠除氟—重金屬截留—膜濃縮—蒸發結晶”全鏈條解決方案：  

     1. 預處理強化  

      -高效破膠除氟：  

     → 特種混凝技術：采用鋁鐵復合絮凝劑（PAFC+PFS）破除硅膠體穩定性，配合聚丙烯酰胺（PAM）加速沉降；  

     → 兩級化學沉淀：一級投加鈣鹽生成CaF?，二級引入磷酸鹽生成氟磷灰石，使氟離子濃度降至≤5mg/L。  

     2. 膜分離與資源化  

      -抗污染DTRO膜系統：  

     采用開放式流道設計，耐受SS≤5000mg/L的高濁廢水，回收率提升至85%；  

      -電解脫氟裝置：  

     陰極生成活性鋁羥基絡合物吸附殘余氟，避免膜污堵。  

     3. 零排放閉環設計  

      -MVR蒸發結晶：  

     對濃水進行負壓蒸發，回收高純度氟化鈣（CaF?，純度≥98%），作為原料回用于生產；  

      -污泥干化減量：  

     板框壓濾+低溫熱泵干燥，污泥含水率＜40%，危廢量削減60%。  

       百惠浦設備的五大核心優勢  

     | 技術維度       | 傳統工藝         | 百惠浦解決方案      |  

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     | 氟去除率   | 85%-90%          | ≥99.9%          |  

     | 膜壽命     | 6-12個月         | ＞36個月        |  

     | 能耗成本   | 8-10元/噸        | ≤5元/噸         |  

     | 自動化程度 | 手動調節         | IoT智能云控     |  

     | 資源回收   | 無               | CaF?回用        |  

     百惠浦深耕半導體廢水處理20年，服務全球10+國家超10000家企業，從碳化硅晶片到功率器件制造領域，以技術創新推動第三代半導體產業綠色升級。